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EGP51G-E3/D

EGP51G-E3/D

Nur als Referenz

Teilenummer EGP51G-E3/D
PNEDA Teilenummer EGP51G-E3-D
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.160
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EGP51G-E3/D Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEGP51G-E3/D
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
EGP51G-E3/D, EGP51G-E3/D Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 86,78 KB)
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EGP51G-E3/D Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.48pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

55pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-ETH3006-1HM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.65V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC (DO-214AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VSSAF3M6HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221AC, SMA Flat Leads

Lieferantengerätepaket

DO-221AC (SlimSMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

10ETS12

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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