EGP30GHE3/73
Nur als Referenz
| Teilenummer | EGP30GHE3/73 |
| PNEDA Teilenummer | EGP30GHE3-73 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 3A GP20 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGP30GHE3/73 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGP30GHE3/73 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGP30GHE3/73 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Lieferantengerätepaket | GP20 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1.6A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 75pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4.5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 570mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-222AA Lieferantengerätepaket DO222-AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
