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EGP30C

EGP30C

Nur als Referenz

Teilenummer EGP30C
PNEDA Teilenummer EGP30C
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $31,4990
100 ---------- $30,0225
250 ---------- $28,5460
500 ---------- $27,0695
750 ---------- $25,8390
1.000 ---------- $24,6086
Auf Lager 22.772
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EGP30C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEGP30C
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
EGP30C, EGP30C Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 248,84 KB)
PDFEGP30C Datenblatt Cover
EGP30C Datenblatt Seite 2 EGP30C Datenblatt Seite 3 EGP30C Datenblatt Seite 4 EGP30C Datenblatt Seite 5 EGP30C Datenblatt Seite 6

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EGP30C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.95pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

0603C/SOD-523F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

20TQ045STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.7mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

1400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SR1060HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-SD300C32C

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3200V

Current - Average Rectified (Io)

540A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.08V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 3200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Clamp On

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AA, A-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

NSVR0240HT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

710mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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