EGP10B
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Teilenummer | EGP10B |
PNEDA Teilenummer | EGP10B |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.228 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGP10B Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | EGP10B |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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EGP10B Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/444 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 750mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 35mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150nA @ 16V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 (DO-204AH) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 980mV @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.14V @ 10A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.6µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 78pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket SlimDPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1.4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |