EGL34D-E3/98
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| Teilenummer | EGL34D-E3/98 |
| PNEDA Teilenummer | EGL34D-E3-98 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 122.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EGL34D-E3/98 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGL34D-E3/98 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGL34D-E3/98 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AA (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AA (GL34) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie TrenchSBR Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 16ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 30V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerUDFN Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 7µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 145pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 5000V Current - Average Rectified (Io) 8010A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 6000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400mA @ 5000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 160°C |
Hersteller Power Integrations Serie Qspeed™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 23ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
