EGF1T-E3/67A
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| Teilenummer | EGF1T-E3/67A |
| PNEDA Teilenummer | EGF1T-E3-67A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 188.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGF1T-E3/67A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGF1T-E3/67A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGF1T-E3/67A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 1300V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214BA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 500mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket Mini MELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 610mV @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 90pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket DFN1608D-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 5.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 770mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 183pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 30mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 30mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 300nA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 1.5pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G3-B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
