EGF1B-1HE3/67A
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Teilenummer | EGF1B-1HE3/67A |
PNEDA Teilenummer | EGF1B-1HE3-67A |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.326 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EGF1B-1HE3/67A Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | EGF1B-1HE3/67A |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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EGF1B-1HE3/67A Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214BA |
Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 660mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 20A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 1060pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |