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EG 1A

EG 1A

Nur als Referenz

Teilenummer EG 1A
PNEDA Teilenummer EG-1A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL
Hersteller Sanken
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Auf Lager 3.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EG 1A Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEG 1A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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EG 1A Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)600mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2V @ 600mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallAxial
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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EM 1Z

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SBRT05U20LPQ-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

390mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

14pF @ 20V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1006 Metric)

Lieferantengerätepaket

X1-DFN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

STTH8R06G-TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.9V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SFF1003GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

E4D20120A

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Automotive, AEC-Q101, E

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

54.5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

1500pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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