EFC6602R-TR
Nur als Referenz
Teilenummer | EFC6602R-TR |
PNEDA Teilenummer | EFC6602R-TR |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH EFCP |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.570 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
EFC6602R-TR Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | EFC6602R-TR |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- EFC6602R-TR Datasheet
- where to find EFC6602R-TR
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor EFC6602R-TR
- EFC6602R-TR PDF Datasheet
- EFC6602R-TR Stock
- EFC6602R-TR Pinout
- Datasheet EFC6602R-TR
- EFC6602R-TR Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- EFC6602R-TR Price
- EFC6602R-TR Distributor
EFC6602R-TR Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung - max | 2W |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-XFBGA, FCBGA |
Lieferantengerätepaket | EFCP2718-6CE-020 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Cree/Wolfspeed Hersteller Cree/Wolfspeed Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 450A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 450A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 132mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1330nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 38000pF @ 800V Leistung - max 50mW Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Alpha & Omega Semiconductor Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 888pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (Three Level Inverter) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |