EFC4C002NLTDG
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| Teilenummer | EFC4C002NLTDG |
| PNEDA Teilenummer | EFC4C002NLTDG |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EFC4C002NLTDG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EFC4C002NLTDG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EFC4C002NLTDG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.6W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-XFBGA, WLCSP |
| Lieferantengerätepaket | 8-WLCSP (6x2.5) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.3A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3241pF @ 15V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MC Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MC |
