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EFC3J018NUZTDG

EFC3J018NUZTDG

Nur als Referenz

Teilenummer EFC3J018NUZTDG
PNEDA Teilenummer EFC3J018NUZTDG
Beschreibung NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Hersteller ON Semiconductor
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EFC3J018NUZTDG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEFC3J018NUZTDG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EFC3J018NUZTDG, EFC3J018NUZTDG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 638,29 KB)
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EFC3J018NUZTDG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2.5W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket6-WLCSP (1.77x3.05)

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PG-SOT363-6

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V

Leistung - max

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 8.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

496pF @ 10V

Leistung - max

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