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EDBA164B2PR-1D-F-D

EDBA164B2PR-1D-F-D

Nur als Referenz

Teilenummer EDBA164B2PR-1D-F-D
PNEDA Teilenummer EDBA164B2PR-1D-F-D
Beschreibung IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EDBA164B2PR-1D-F-D Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEDBA164B2PR-1D-F-D
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
EDBA164B2PR-1D-F-D, EDBA164B2PR-1D-F-D Datenblatt (Total Pages: 152, Größe: 1.983,99 KB)
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EDBA164B2PR-1D-F-D Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße16Gb (256M x 64)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall216-VFBGA
Lieferantengerätepaket216-FBGA (12x12)

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

66MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

N25Q512A13G1241F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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