EDB4064B4PB-1DIT-F-D
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| Teilenummer | EDB4064B4PB-1DIT-F-D |
| PNEDA Teilenummer | EDB4064B4PB-1DIT-F-D |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.236 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EDB4064B4PB-1DIT-F-D |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
EDB4064B4PB-1DIT-F-D, EDB4064B4PB-1DIT-F-D Datenblatt
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (64M x 64) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 216-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 216-WFBGA (12x12) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
