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ECH8652-TL-H

ECH8652-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8652-TL-H
PNEDA Teilenummer ECH8652-TL-H
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.438
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ECH8652-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8652-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8652-TL-H, ECH8652-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 305,36 KB)
PDFECH8652-TL-H Datenblatt Cover
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ECH8652-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 6V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V

Leistung - max

1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 10V, 1550pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 15V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 20V

Leistung - max

17.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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