Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ECH8410-TL-H

ECH8410-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8410-TL-H
PNEDA Teilenummer ECH8410-TL-H
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ECH8410-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8410-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ECH8410-TL-H, ECH8410-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 307,98 KB)
PDFECH8410-TL-H Datenblatt Cover
ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 2 ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 3 ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 4 ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 5 ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 6 ECH8410-TL-H Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ECH8410-TL-H Datasheet
  • where to find ECH8410-TL-H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor ECH8410-TL-H
  • ECH8410-TL-H PDF Datasheet
  • ECH8410-TL-H Stock

  • ECH8410-TL-H Pinout
  • Datasheet ECH8410-TL-H
  • ECH8410-TL-H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • ECH8410-TL-H Price
  • ECH8410-TL-H Distributor

ECH8410-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.6W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-ECH
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT35SM70B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 700V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

176W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

SIE844DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

10-PolarPAK® (U)

Paket / Fall

10-PolarPAK® (U)

NP109N04PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRLB8314PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SQD40061EL_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

B3F-4050

B3F-4050

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

SMAJ5.0A

SMAJ5.0A

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

LTC1760IFW#PBF

LTC1760IFW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MANAGER BATTERY DUAL 48TSSOP

74HCT14D

74HCT14D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

WSL2010R0100FEA

WSL2010R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

CK45-R3DD102KAVRA

CK45-R3DD102KAVRA

TDK

CAP CER 1000PF 2KV RADIAL

FDS4435BZ

FDS4435BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD

ADP1763ACPZ-R7

ADP1763ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 16LFCSP

MAX1953EUB+

MAX1953EUB+

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK 10UMAX

ISL97900CRZ-T7A

ISL97900CRZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

IC LED DRIVER RGLTR DIM 28QFN

BA2904SFV-E2

BA2904SFV-E2

Rohm Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOPB