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DZ1070N18KHPSA3

DZ1070N18KHPSA3

Nur als Referenz

Teilenummer DZ1070N18KHPSA3
PNEDA Teilenummer DZ1070N18KHPSA3
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 18 - Jan 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DZ1070N18KHPSA3 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDZ1070N18KHPSA3
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DZ1070N18KHPSA3, DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 359,54 KB)
PDFDZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Cover
DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 2 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 3 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 4 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 5 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 6 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 7 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 8 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 9 DZ1070N18KHPSA3 Datenblatt Seite 10

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DZ1070N18KHPSA3 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1800V
Current - Average Rectified (Io)1100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.11V @ 3000A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr150mA @ 1800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SR303 B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

FCSP05H40TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Flipky™

Lieferantengerätepaket

Flipky™

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS16T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

LSM170G/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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