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DXT690BP5-13

DXT690BP5-13

Nur als Referenz

Teilenummer DXT690BP5-13
PNEDA Teilenummer DXT690BP5-13
Beschreibung TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DXT690BP5-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDXT690BP5-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
DXT690BP5-13, DXT690BP5-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 244,43 KB)
PDFDXT690BP5Q-13 Datenblatt Cover
DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 2 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 3 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 4 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 5 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 6 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 7

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DXT690BP5-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic350mV @ 150mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 2A, 2V
Leistung - max740mW
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerDI™ 5
LieferantengerätepaketPowerDI™ 5

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ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

FMMT722TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 200mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

MJ11016

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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