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DXT690BP5-13

DXT690BP5-13

Nur als Referenz

Teilenummer DXT690BP5-13
PNEDA Teilenummer DXT690BP5-13
Beschreibung TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DXT690BP5-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDXT690BP5-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
DXT690BP5-13, DXT690BP5-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 244,43 KB)
PDFDXT690BP5Q-13 Datenblatt Cover
DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 2 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 3 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 4 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 5 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 6 DXT690BP5Q-13 Datenblatt Seite 7

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DXT690BP5-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic350mV @ 150mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 2A, 2V
Leistung - max740mW
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerDI™ 5
LieferantengerätepaketPowerDI™ 5

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SAR553RTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 35mA, 700mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

320MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-96

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MJ11015G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204 (TO-3)

APT13003LZTR-G1

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 300mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

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