DXT2013P5-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DXT2013P5-13 |
| PNEDA Teilenummer | DXT2013P5-13 |
| Beschreibung | TRANS PNP 100V 5A POWERDI5 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DXT2013P5-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DXT2013P5-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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DXT2013P5-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 400mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Leistung - max | 3.2W |
| Frequenz - Übergang | 125MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerDI™ 5 |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI™ 5 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-71 Lieferantengerätepaket 3-NMP |
