Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DTD713ZETL

DTD713ZETL

Nur als Referenz

Teilenummer DTD713ZETL
PNEDA Teilenummer DTD713ZETL
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTD713ZETL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTD713ZETL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTD713ZETL, DTD713ZETL Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 347,6 KB)
PDFDTD713ZETL Datenblatt Cover
DTD713ZETL Datenblatt Seite 2 DTD713ZETL Datenblatt Seite 3 DTD713ZETL Datenblatt Seite 4 DTD713ZETL Datenblatt Seite 5 DTD713ZETL Datenblatt Seite 6 DTD713ZETL Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DTD713ZETL Datasheet
  • where to find DTD713ZETL
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor DTD713ZETL
  • DTD713ZETL PDF Datasheet
  • DTD713ZETL Stock

  • DTD713ZETL Pinout
  • Datasheet DTD713ZETL
  • DTD713ZETL Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • DTD713ZETL Price
  • DTD713ZETL Distributor

DTD713ZETL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang260MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketEMT3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PDTC143XQAZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

230MHz

Leistung - max

280mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1010D-3

DDTB142JU-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

470 Ohms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BCR 129F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

DDTC143ZE-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

FJV3103RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Kürzlich verkauft

CM2009-00QR

CM2009-00QR

ON Semiconductor

VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

MB6S

MB6S

ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC

MCP73833-FCI/UN

MCP73833-FCI/UN

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

Semtech

TVS DIODE 5V 20V 8SO

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

OP295GSZ-REEL

OP295GSZ-REEL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

SDF DF128S

SDF DF128S

Cantherm

TCO 250VAC 10A 128C(262F) AXIAL

AT24RF08CN-10SC

AT24RF08CN-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 8K I2C 100KHZ 8SOIC