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DTC124XKAT146

DTC124XKAT146

Nur als Referenz

Teilenummer DTC124XKAT146
PNEDA Teilenummer DTC124XKAT146
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 86.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTC124XKAT146 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTC124XKAT146
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTC124XKAT146, DTC124XKAT146 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.466,22 KB)
PDFDTC124XMT2L Datenblatt Cover
DTC124XMT2L Datenblatt Seite 2 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 3 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 4 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 5 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 6 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 7 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 8 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 9 DTC124XMT2L Datenblatt Seite 10

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DTC124XKAT146 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

260mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SOT-723

RN2118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SSM

BCR135WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

RN1425TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

470 Ohms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

300MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

FJY4007R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SOT-523F

Kürzlich verkauft

SDP800-500PA

SDP800-500PA

Sensirion AG

SENSOR PRESSURE DIFF

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

AD5624RBRMZ-3REEL7

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Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

AT24C1024BW-SH-T

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Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

AT90S1200-12SC

AT90S1200-12SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

SST25VF080B-80-4I-SAE

SST25VF080B-80-4I-SAE

Microchip Technology

IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

ESD9L5.0ST5G

ESD9L5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 9.8V SOD923

NC7SZ19P6X

NC7SZ19P6X

ON Semiconductor

IC DECODER/DEMUX UHS 1OF2 SC70-6

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

W25X40CLSSIG

W25X40CLSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC