DTC124EKA-TP
Nur als Referenz
| Teilenummer | DTC124EKA-TP |
| PNEDA Teilenummer | DTC124EKA-TP |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L |
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DTC124EKA-TP Ressourcen
| Marke | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DTC124EKA-TP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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DTC124EKA-TP Technische Daten
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3L |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket SPT |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket UMT3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5A, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 230MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket DFN1006B-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SOT-523F |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G3-B |
