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DSEP60-12A

DSEP60-12A

Nur als Referenz

Teilenummer DSEP60-12A
PNEDA Teilenummer DSEP60-12A
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 17.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DSEP60-12A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSEP60-12A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DSEP60-12A, DSEP60-12A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 343,02 KB)
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DSEP60-12A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFRED™
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.66V @ 60A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr650µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
LieferantengerätepaketTO-247AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

11pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

P600, Axial

Lieferantengerätepaket

P600

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 125°C

IDT05S60CHKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

ES1CL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UPS120/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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