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DSEP29-06A

DSEP29-06A

Nur als Referenz

Teilenummer DSEP29-06A
PNEDA Teilenummer DSEP29-06A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.026
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DSEP29-06A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSEP29-06A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DSEP29-06A, DSEP29-06A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 120,95 KB)
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DSEP29-06A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFRED™
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.61V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

VS-10ETS12STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

PMEG2020EPK,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

120pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

DFN1608D-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

IDV20E65D1XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

28A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2 Full Pack

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

S1KL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

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