DSC2G02D0L
Nur als Referenz
| Teilenummer | DSC2G02D0L |
| PNEDA Teilenummer | DSC2G02D0L |
| Beschreibung | TRANS NPN 20V 0.015A MINI3 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DSC2G02D0L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DSC2G02D0L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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DSC2G02D0L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 65 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | Mini3-G3-B |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 145MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SC-73 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMT3F |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 375V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 800mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-71 Lieferantengerätepaket MSTM |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 1V Leistung - max 5W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
