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DSB3A40

DSB3A40

Nur als Referenz

Teilenummer DSB3A40
PNEDA Teilenummer DSB3A40
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO204AH
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DSB3A40 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSB3A40
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DSB3A40, DSB3A40 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 37,17 KB)
PDFDSB5822 Datenblatt Cover
DSB5822 Datenblatt Seite 2

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DSB3A40 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 125°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 470A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 75A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBR8020

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

EGP20A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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