DSAI75-18B
Nur als Referenz
| Teilenummer | DSAI75-18B |
| PNEDA Teilenummer | DSAI75-18B |
| Beschreibung | DIODE AVALANCHE 1.8KV 110A DO203 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.392 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DSAI75-18B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DSAI75-18B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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DSAI75-18B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 110A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.17V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 6mA @ 1800V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 180°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall P600, Axial Lieferantengerätepaket P600 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 85A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 175pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Comchip Technology Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 23pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 2114/DO-214AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
