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DS28E04S-100+

DS28E04S-100+

Nur als Referenz

Teilenummer DS28E04S-100+
PNEDA Teilenummer DS28E04S-100
Beschreibung IC EEPROM 4K 1WIRE 16SOIC
Hersteller Maxim Integrated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DS28E04S-100+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS28E04S-100+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS28E04S-100+, DS28E04S-100+ Datenblatt (Total Pages: 37, Größe: 847,81 KB)
PDFDS28E04S-100+ Datenblatt Cover
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DS28E04S-100+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (256 x 16)
Speicherschnittstelle1-Wire®
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2µs
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

68-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

256Gb (32G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

40-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

40-PDIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

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