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DS28DG02E-3C+T

DS28DG02E-3C+T

Nur als Referenz

Teilenummer DS28DG02E-3C+T
PNEDA Teilenummer DS28DG02E-3C-T
Beschreibung IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 28TSSOP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 6.714
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 29 - Mai 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DS28DG02E-3C+T Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS28DG02E-3C+T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS28DG02E-3C+T, DS28DG02E-3C+T Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 345,54 KB)
PDFDS28DG02E-3C+T Datenblatt Cover
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DS28DG02E-3C+T Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz2MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.2V ~ 5.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket28-TSSOP-EP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-LCC (11.43x13.97)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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28-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

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84-TWBGA (8x12.5)

SST39WF1601-90-4I-B3KE-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA

CY7C1313KV18-333BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

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