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DS2502R+T&R

DS2502R+T&R

Nur als Referenz

Teilenummer DS2502R+T&R
PNEDA Teilenummer DS2502R-T-R
Beschreibung IC EPROM 1K 1WIRE SOT23-3
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 52.854
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS2502R+T&R Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS2502R+T&R
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS2502R+T&R, DS2502R+T&R Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 677,18 KB)
PDFDS2502X1+U Datenblatt Cover
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DS2502R+T&R Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - OTP
Speichergröße1Kb (128 x 8)
Speicherschnittstelle1-Wire®
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.8V ~ 6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

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7026L20JGI8

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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BR93G56FJ-3AGTE2

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

137-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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