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DS2431+

DS2431+

Nur als Referenz

Teilenummer DS2431+
PNEDA Teilenummer DS2431
Beschreibung IC EEPROM 1K 1WIRE TO92-3
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 78.775
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS2431+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS2431+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS2431+, DS2431+ Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 954,3 KB)
PDFDS2431GB+U Datenblatt Cover
DS2431GB+U Datenblatt Seite 2 DS2431GB+U Datenblatt Seite 3 DS2431GB+U Datenblatt Seite 4 DS2431GB+U Datenblatt Seite 5 DS2431GB+U Datenblatt Seite 6 DS2431GB+U Datenblatt Seite 7 DS2431GB+U Datenblatt Seite 8 DS2431GB+U Datenblatt Seite 9 DS2431GB+U Datenblatt Seite 10 DS2431GB+U Datenblatt Seite 11

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DS2431+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Kb (256 x 4)
Speicherschnittstelle1-Wire®
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2µs
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Taktfrequenz

-

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-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x13)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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