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DS1345YP-70IND+

DS1345YP-70IND+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1345YP-70IND+
PNEDA Teilenummer DS1345YP-70IND
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
Hersteller Maxim Integrated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DS1345YP-70IND+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1345YP-70IND+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1345YP-70IND+, DS1345YP-70IND+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 202,13 KB)
PDFDS1345ABP-70+ Datenblatt Cover
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DS1345YP-70IND+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall34-PowerCap™ Module
Lieferantengerätepaket34-PowerCap Module

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Micron Technology Inc.

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (1M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

54ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.75V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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