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DS1345YP-70IND+

DS1345YP-70IND+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1345YP-70IND+
PNEDA Teilenummer DS1345YP-70IND
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DS1345YP-70IND+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1345YP-70IND+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1345YP-70IND+, DS1345YP-70IND+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 202,13 KB)
PDFDS1345ABP-70+ Datenblatt Cover
DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 2 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 3 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 4 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 5 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 6 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 7 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 8 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 9 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 10

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DS1345YP-70IND+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall34-PowerCap™ Module
Lieferantengerätepaket34-PowerCap Module

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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709269L12PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT25QU256ABA8E12-0AUT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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