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DS1265W-100+

DS1265W-100+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1265W-100+
PNEDA Teilenummer DS1265W-100
Beschreibung IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $2.136,5984
50 ---------- $2.036,4453
100 ---------- $1.936,2923
200 ---------- $1.836,1393
400 ---------- $1.752,6784
500 ---------- $1.669,2175
Auf Lager 56
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1265W-100+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1265W-100+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1265W-100+, DS1265W-100+ Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 186,38 KB)
PDFDS1270W-150# Datenblatt Cover
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DS1265W-100+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket36-EDIP

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Kb (1K x 1)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Lieferantengerätepaket

TSOT-23-5

EDFA364A3PD-JDTJ-F-R

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS45S16400J-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

CY7C057V-12AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1.152Mb (32K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-LQFP

Lieferantengerätepaket

144-TQFP (20x20)

N25Q064A13ESEDFF TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (16M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO W

Kürzlich verkauft

293D226X0010B2TE3

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Vishay Sprague

CAP TANT 22UF 20% 10V 1411

MC9S08LC36LK

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NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

MMSZ5235BT1G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

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IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MCP42050-E/SL

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IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

S2B-13-F

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TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

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