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DS1250YP-70+

DS1250YP-70+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1250YP-70+
PNEDA Teilenummer DS1250YP-70
Beschreibung IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $1.822,1180
50 ---------- $1.736,7062
100 ---------- $1.651,2945
200 ---------- $1.565,8827
400 ---------- $1.494,7062
500 ---------- $1.423,5297
Auf Lager 1.961
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DS1250YP-70+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1250YP-70+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1250YP-70+, DS1250YP-70+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datenblatt Cover
DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 2 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 3 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 4 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 5 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 6 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 7 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 8 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 9 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 10

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DS1250YP-70+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall34-PowerCap™ Module
Lieferantengerätepaket34-PowerCap Module

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

208MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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