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DS1250AB-70+

DS1250AB-70+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1250AB-70+
PNEDA Teilenummer DS1250AB-70
Beschreibung IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $1.159,7777
50 ---------- $1.105,4131
100 ---------- $1.051,0485
200 ---------- $996,6839
400 ---------- $951,3801
500 ---------- $906,0763
Auf Lager 88
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DS1250AB-70+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1250AB-70+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1250AB-70+, DS1250AB-70+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datenblatt Cover
DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 2 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 3 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 4 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 5 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 6 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 7 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 8 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 9 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 10

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DS1250AB-70+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket32-EDIP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

IS43DR16128A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-LFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

432-VFBGA

Lieferantengerätepaket

432-VFBGA (15x15)

AS4C256M16D3LB-12BAN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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