DS1245YP-70+
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| Teilenummer | DS1245YP-70+ |
| PNEDA Teilenummer | DS1245YP-70 |
| Beschreibung | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP |
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 14 - Mär 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DS1245YP-70+ Ressourcen
| Marke | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DS1245YP-70+ |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
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DS1245YP-70+ Technische Daten
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
| Zugriffszeit | 70ns |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 34-PowerCap™ Module |
| Lieferantengerätepaket | 34-PowerCap Module |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, GL-N Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 110ns Zugriffszeit 110ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 56-TSOP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
