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DRA5123E0L

DRA5123E0L

Nur als Referenz

Teilenummer DRA5123E0L
PNEDA Teilenummer DRA5123E0L
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 6.408
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DRA5123E0L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce6 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-85
LieferantengerätepaketSMini3-F2-B

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

220 Ohms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

NSVDTA123JM3T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

260mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SOT-723

DDTA115EUA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

DDTC124GE-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

DRA9124E0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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