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DPG80C300HB

DPG80C300HB

Nur als Referenz

Teilenummer DPG80C300HB
PNEDA Teilenummer DPG80C300HB
Beschreibung DIODE ARRAY GP 300V 40A TO247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $43,2346
100 ---------- $41,2079
250 ---------- $39,1813
500 ---------- $37,1547
750 ---------- $35,4659
1.000 ---------- $33,7770
Auf Lager 84
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DPG80C300HB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDPG80C300HB
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DPG80C300HB, DPG80C300HB Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 137,5 KB)
PDFDPG80C300HB Datenblatt Cover
DPG80C300HB Datenblatt Seite 2 DPG80C300HB Datenblatt Seite 3 DPG80C300HB Datenblatt Seite 4 DPG80C300HB Datenblatt Seite 5

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DPG80C300HB Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFRED²™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.36V @ 40A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 300V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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WeEn Semiconductors

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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TO-220AB

1SS396,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

70mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

360mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Infineon Technologies

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

24A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

62µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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