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DPF80C200HB

DPF80C200HB

Nur als Referenz

Teilenummer DPF80C200HB
PNEDA Teilenummer DPF80C200HB
Beschreibung DIODE ARRAY GP 200V 40A TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DPF80C200HB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDPF80C200HB
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DPF80C200HB, DPF80C200HB Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 88,74 KB)
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DPF80C200HB Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFRED²™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.22V @ 40A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 1400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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