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DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

Nur als Referenz

Teilenummer DNA30EM2200PC
PNEDA Teilenummer DNA30EM2200PC
Beschreibung DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.104
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DNA30EM2200PC Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDNA30EM2200PC
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DNA30EM2200PC, DNA30EM2200PC Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 154,34 KB)
PDFDNA30EM2200PC Datenblatt Cover

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DNA30EM2200PC Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2200V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.26V @ 30A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr40µA @ 2200V
Kapazität @ Vr, F.7pF @ 700V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D²Pak)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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BYT54J-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JAN1N6623

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

A-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

1N4938

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

1N5392G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

IDW10G65C5FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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