DMTH10H025LK3Q-13
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| Teilenummer | DMTH10H025LK3Q-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMTH10H025LK3Q-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMTH10H025LK3Q-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMTH10H025LK3Q-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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DMTH10H025LK3Q-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 51.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1477pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.16nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 859pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.11W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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