Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMT6004LPS-13
PNEDA Teilenummer DMT6004LPS-13
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 22A
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 53.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT6004LPS-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT6004LPS-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMT6004LPS-13, DMT6004LPS-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 378,42 KB)
PDFDMT6004LPS-13 Datenblatt Cover
DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 2 DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 3 DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 4 DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 5 DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 6 DMT6004LPS-13 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT6004LPS-13 Datasheet
  • where to find DMT6004LPS-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT6004LPS-13
  • DMT6004LPS-13 PDF Datasheet
  • DMT6004LPS-13 Stock

  • DMT6004LPS-13 Pinout
  • Datasheet DMT6004LPS-13
  • DMT6004LPS-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT6004LPS-13 Price
  • DMT6004LPS-13 Distributor

DMT6004LPS-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96.3nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4515pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.1W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFX100N25

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

R6507ENJTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

665mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

78W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS3607TRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3070pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STI23NM60ND

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRL3103STRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MX25U3235FM2I-10G

MX25U3235FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOP

DEA1X3D470JN2A

DEA1X3D470JN2A

Murata

CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL

5CEFA4U19C8N

5CEFA4U19C8N

Intel

IC FPGA 224 I/O 484UBGA

HCPL-0201-500E

HCPL-0201-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8SO

USB2514B-AEZC

USB2514B-AEZC

Microchip Technology

IC USB 2.0 4PORT HUB CTLR 36QFN

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

ADA4870ARRZ

ADA4870ARRZ

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

RCLAMP0854P.TCT

RCLAMP0854P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

UC3844BD1013TR

UC3844BD1013TR

STMicroelectronics

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC

XC6206P152MR-G

XC6206P152MR-G

Torex Semiconductor Ltd

1UA LOW QUIESCENT 3 TERMINAL, LO

SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO