DMP58D0LFB-7
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| Teilenummer | DMP58D0LFB-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMP58D0LFB-7 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 73.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMP58D0LFB-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMP58D0LFB-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMP58D0LFB-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 470mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Paket / Fall | 3-UFDFN |
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