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DMP2066LVT-7

DMP2066LVT-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP2066LVT-7
PNEDA Teilenummer DMP2066LVT-7
Beschreibung MOSFET P-CH 20V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DMP2066LVT-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP2066LVT-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP2066LVT-7, DMP2066LVT-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 359,55 KB)
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DMP2066LVT-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2990pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.2W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-26
Paket / FallSOT-23-6

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 97A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1365pF @ 12.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFH8321TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 83A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.4W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-TQFN Exposed Pad

SI4488DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

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IPP65R600E6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

163A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6540pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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