Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP2004K-7

DMP2004K-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP2004K-7
PNEDA Teilenummer DMP2004K-7
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 304.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP2004K-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP2004K-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP2004K-7, DMP2004K-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 399,3 KB)
PDFDMP2004K-7 Datenblatt Cover
DMP2004K-7 Datenblatt Seite 2 DMP2004K-7 Datenblatt Seite 3 DMP2004K-7 Datenblatt Seite 4 DMP2004K-7 Datenblatt Seite 5 DMP2004K-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP2004K-7 Datasheet
  • where to find DMP2004K-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP2004K-7
  • DMP2004K-7 PDF Datasheet
  • DMP2004K-7 Stock

  • DMP2004K-7 Pinout
  • Datasheet DMP2004K-7
  • DMP2004K-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP2004K-7 Price
  • DMP2004K-7 Distributor

DMP2004K-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 16V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)550mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

JANTXV2N6898

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

DMN3008SFGQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.6A (Ta), 62A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3690pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

AON6360

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Ta), 85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

IRLIB9343PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

PI3VDP411LSRZBE

PI3VDP411LSRZBE

Diodes Incorporated

IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

S29GL064N90DFI010

S29GL064N90DFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

NC7SZ08M5X

NC7SZ08M5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

PMBT3904VS,115

PMBT3904VS,115

Nexperia

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312