DMP1011LFV-13
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| Teilenummer | DMP1011LFV-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMP1011LFV-13 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMP1011LFV-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMP1011LFV-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMP1011LFV-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 6V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 913pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.16W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (Max) -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-WLB1515-9 Paket / Fall 9-UFBGA, WLBGA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 420mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20.5A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11135pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 29A (Ta), 168A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 13V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX |
Hersteller IXYS Serie PolarHV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 460W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH) Paket / Fall TO-247-3 |
