DMNH6008SCT
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Teilenummer | DMNH6008SCT |
PNEDA Teilenummer | DMNH6008SCT |
Beschreibung | MOSFET NCH 60V 130A TO220AB |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.820 |
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DMNH6008SCT Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMNH6008SCT |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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DMNH6008SCT Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2596pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 210W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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