Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN60H3D5SK3-13
PNEDA Teilenummer DMN60H3D5SK3-13
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN60H3D5SK3-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN60H3D5SK3-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN60H3D5SK3-13, DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 542,36 KB)
PDFDMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Cover
DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 2 DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 3 DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 4 DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 5 DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 6 DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN60H3D5SK3-13 Datasheet
  • where to find DMN60H3D5SK3-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN60H3D5SK3-13
  • DMN60H3D5SK3-13 PDF Datasheet
  • DMN60H3D5SK3-13 Stock

  • DMN60H3D5SK3-13 Pinout
  • Datasheet DMN60H3D5SK3-13
  • DMN60H3D5SK3-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN60H3D5SK3-13 Price
  • DMN60H3D5SK3-13 Distributor

DMN60H3D5SK3-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds354pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)41W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TK8A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

840mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STFI6N65K3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAKFP (TO-281)

Paket / Fall

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

R5009ANJTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQJ860EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IXTP16N50P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

SI5328B-C-GMR

SI5328B-C-GMR

Silicon Labs

IC CLK MULTIPLIER ETH 36QFN

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

LTM2882HY-3#PBF

LTM2882HY-3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TXRX ISOL HALF 2/2 32BGA

AD7793BRUZ

AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

CP2103-GMR

CP2103-GMR

Silicon Labs

IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP

MC79M12CDTRKG

MC79M12CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

TCS3200D-TR

TCS3200D-TR

ams

IC COLOR SENSOR LIGHT-FREQ 8SOIC

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP