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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN6040SSD-13
PNEDA Teilenummer DMN6040SSD-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 743.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN6040SSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN6040SSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN6040SSD-13, DMN6040SSD-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 469,26 KB)
PDFDMN6040SSD-13 Datenblatt Cover
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DMN6040SSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1287pF @ 25V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

755pF @ 25V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2295pF @ 30V

Leistung - max

1.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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SP3

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 50V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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