Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN4036LK3Q-13
PNEDA Teilenummer DMN4036LK3Q-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN4036LK3Q-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN4036LK3Q-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN4036LK3Q-13 Datasheet
  • where to find DMN4036LK3Q-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN4036LK3Q-13
  • DMN4036LK3Q-13 PDF Datasheet
  • DMN4036LK3Q-13 Stock

  • DMN4036LK3Q-13 Pinout
  • Datasheet DMN4036LK3Q-13
  • DMN4036LK3Q-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN4036LK3Q-13 Price
  • DMN4036LK3Q-13 Distributor

DMN4036LK3Q-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7807VTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

2SJ661-DL-1EX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

FCD4N60TM_WS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP140NF75

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

218nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

AO3416L_102

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

ABLIC

IC REG LINEAR 3.3V 200MA HSNT4-A

SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

W25Q16JVSNIQ

W25Q16JVSNIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

AD7997BRUZ-0

AD7997BRUZ-0

Analog Devices

IC ADC 10BIT SAR 20TSSOP

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

BH1726NUC-E2

BH1726NUC-E2

Rohm Semiconductor

SENSOR OPT AMBIENT WSON008X2120

SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

LM393DR

LM393DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC

PIC18F2525-I/SO

PIC18F2525-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 28SOIC

DS5000FP-16

DS5000FP-16

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP