DMN3112SSS-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN3112SSS-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3112SSS-13 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMN3112SSS-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DMN3112SSS-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMN3112SSS-13 Datasheet
- where to find DMN3112SSS-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN3112SSS-13
- DMN3112SSS-13 PDF Datasheet
- DMN3112SSS-13 Stock
- DMN3112SSS-13 Pinout
- Datasheet DMN3112SSS-13
- DMN3112SSS-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN3112SSS-13 Price
- DMN3112SSS-13 Distributor
DMN3112SSS-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 89W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10015pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 206A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7360pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket SUPER-220™ (TO-273AA) Paket / Fall TO-273AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie UniFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 161W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PF Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak |
